夏建白
半导体物理专家。苏州人，1939年7月生于上海。1956年9月至1962年9月就读于北京大学物理系理论物理专业，1962年9月至1965年9月在北京大学物理系读研究生，师从世界著名物理学家黄昆教授。1965年北京大学物理系研究生毕业。现任中国科学院半导体研究所研究员。2001年当选为中国科学院院士，2003年当选为政协第十届全国委员会委员。
    在低维半导体微结构电子态的量子理论及其应用方面进行了系统的研究。提出量子球空穴态的张量模型，获得重轻空穴混合的本征态，并给出正确的光跃迁选择定则。提出介观系统的一维量子波导理论，对任意复杂的一维介观系统给出了直观、简单的物理图象和解析结果。提出(11N)取向衬底上生长超晶格的有效质量理论，解决了一大类非(001)取向衬底生长超晶格的空穴子带的理论问题。提出计算超晶格电子态的有限平面波展开方法，用赝势理论研究了长周期超晶格，解决了用平面波方法计算大元胞晶体电子态的困难。提出半导体双势垒结构的空穴隧穿理论，发展了多通道的传输矩阵方法。主要研究领域为半导体和半导体超晶格、微结构理论，在该领域创造性地提出了一系列的理论，其中包括：1、国际上首先提出了量子球空穴态的张量模型，得到了正确的光跃迁选择定则；2、国际上首次提出了介观系统的一维量子波导理论，得到了一维介观系统中波函数的两个基本方程，类似于电路的克希霍夫定律；3、国际上首先提出了（11N）衬底超晶格的有效质量理论；4、国际上首先从理论上研究了空穴共振隧穿现象，发现了在隧穿过程中轻、重空穴互相转化的结果；5、国际上首次提出了计算超晶格电子结构的有限平面波展开方法，利用赝势理论研究了长周期超晶格的电子结构，解决了平面波方法不能用于计算大元胞晶体电子态的困难。解决了GaAs/AlAs短周期超晶格的Gama-X能级交叉问题，澄清了理论与实验的矛盾。6、著有“半导体超晶格物理”（与朱邦芬合著）和“现代半导体物理学”两本专著。他共发表论文75篇，其中第一作者47篇，SCI收录57篇，SCI引用（他引）共426篇。他获得了1989年中国科学院自然科学一等奖：“超晶格电子态理论”(研究者：夏建白，黄昆，朱邦芬，汤蕙)。1993年国家自然科学二等奖：“半导体超晶格的电子态和声子模理论”(研究者：黄昆，朱邦芬，夏建白)。1998年中国科学院自然科学奖一等奖：“半导体微结构的电子态和有关的物理性质”（研究者：夏建白）。他和朱邦芬合著的“半导体超晶格物理”一书获得1998年“第八届全国优秀科技图书一等奖”和“第三届国家图书奖提名奖”。